 |
|
|
| Свойства матрицы |
| Генерационные переходы
| 4F3/2(P)4I13/2 |
| Длина волны генерации, нм | 1062.9
1340 |
| Коэффициент поглощения,см-1; E׀׀C
E. C | 74 на 808нм;
10 на 808нм |
| Диапазон длин волн для диодной накачки, нм | 805-815 |
| Параметры решетки, А | а=b=7.21
c=6.35 |
| Плотность, г/cm3 | 5.47 |
| Теплопроводность, Вт/(м·K) | 11.7 (011)
9.6(100) |
| Сечение,мм | от 2х2 до 5х10 |
| Длина элемента, мм | 0.5-20 |
| Концентрация Nd3+,ат.% | 0.1-4 |
| Отклонение по диаметру, мм | ±0.1 |
| Отклонение по длине, мм | ±0.1 |
| Непараллельность торцов, сек | 10 |
| Чистота поверхности | 10-5 |
| Плоскостность | λ/10 |
| *Возможно изготовление элементов других размеров по желанию заказчика |
|
|
|
Кристаллы ванадата гадолиния GdVO4 с неодимом позволяют создать эффективные лазеры с
диодной накачкой для применения в медицине и технике.
|
|
|
|
|
|
Создание сайта - Pixelhead